MEM.CYCLE // OS v2026.7 ● LIVE — DRAM MARKET MONITOR --:--:--
SYS.BRIEFING — 存储超级周期 · 深度复盘

疯狂的内存
疯涨背后的存储超级周期

0Q1 DRAM合约价单季涨幅峰值
0服务器内存半年价格倍数
0Stargate 潜在月晶圆需求(片)
▼ SCROLL TO DECRYPT ▼
01
MODULE 01 // PRICE_ANOMALY

价格涨势有多"疯"

2026 Q1 常规 DRAM 合约价单季环比 +90–95%,创近十年单季涨幅峰值 —— 且上行曲线仍未触顶。移动滑块或悬停柱体查看各季度数据。

CONTRACT_PRICE.QoQ
SPOT
0
DDR5 16Gb 颗粒现货均价(2026.07)
高位报价突破 $65
SERVER
0
64GB DDR5 RDIMM
半年前(2025 Q3)仅约 $255
Q2.EST
+63%
Q2 合约价预计涨幅上限(58–63%)
涨势延续
Q3.EST
+18%
Q3 预计涨幅上限(13–18%)
涨幅收窄 · 方向未变

ANOMALY DETECTED — 价格倒挂

厂商加速退出旧产能,DDR4 价格一度反超 DDR5,甚至带动更老的 DDR3 跟涨。存储史上罕见的逆代际涨价。

DDR3被动跟涨
DDR4价格倒挂 · 反超DDR5↑↑
DDR5反而更便宜
02
MODULE 02 // SUPPLY_RIGIDITY

内存为什么"造不快"

供给刚性的三重枷锁:物理结构、工艺周期、资本门槛。

1T1C CELL DEEP TRENCH CAP TRANSISTOR AR 60–80:1
物理限制 AR≈60–80:1

1T1C 单元中的电容,为在缩小的面积上维持电容量,必须做成极高宽比的立体深沟结构 —— 刻蚀与填充逼近物理极限。

工艺门槛 以"年"为周期

先进节点研发、EUV 等设备导入、良率爬坡,每一步都无法速成。

资本门槛 $150–200亿 / 厂

一座新 DRAM 晶圆厂从建设到量产需 2–3 年。今天的短缺,三年前就已注定。

03
MODULE 03 // AI_CAPACITY_DRAIN

HBM:吞噬晶圆的巨兽

AI 数据中心对高带宽内存的渴求是涨价直接导火索。三星 / SK海力士 / 美光(合计约 90% 份额)正把先进产能优先喂给 HBM。

WAFER_COST
×3
美光披露:同比特容量的 HBM3E 需约 3 倍 DDR5 晶圆投入。TSV 通孔使单片面积大 35–45%,同晶圆产出比特更少。
CROWDING_OUT · 2026E
22%
9%
22% 投片占比 vs 9% 比特供给
—— 投入产出严重失衡
STARGATE
90万
OpenAI "星际之门"曾提出每月最高 90 万片 DRAM 晶圆潜在需求目标 —— 非即时订单,但足以改写长期产能规划。
INTERACTIVE // 产能挤压模拟器

如果三大厂把更多投片切给 HBM……

HBM 投片占比 22%
9.0%HBM 比特供给占比
14.3%常规DRAM比特产能损失*
HIGH常规内存涨价压力

* 简化模型:按 HBM 同比特晶圆消耗 ≈ 3× DDR5 线性估算,仅作直觉演示。

04
MODULE 04 // FORECAST_MATRIX

涨幅收窄 价格回落

2026 H2高位惯性

Q3 合约价预计仍涨 13–18%。消费端已现降温迹象(华强北二手内存报价回落),但 AI 侧需求依然强劲。

2027+产能松绑窗口

新厂产能陆续释放,或 AI 资本开支放缓,都可能触发供需反转。

LONG-TERM周期铁律

没有永远的短缺,也没有永远的过剩 —— 但产能流向已被深刻改写。

KPI_01
AI 资本开支

需求总阀门 —— 云厂商 Capex 指引决定 HBM 拉力强弱。

KPI_02
HBM4 / 新厂量产进度

供给松绑关键 —— 新节点良率与新晶圆厂投产节奏。

KPI_03
DDR4 停产执行

旧产能退出力度,决定利基市场价格弹性。

05
MODULE 05 // PRICE_FORECAST_ENGINE

价格预测:月度 · 季度 · 年度

综合 TrendForce(温和)、UBS 瑞银(中性)、Jefferies(激进)三家最新预测,构建三情景模型。点击切换情景,观察路径分叉。

QUARTERLY_PATH · 合约价环比 QoQ
MONTHLY · 月度
2026.08+4.5%
2026.09+4.0%
2026.10+4.5%

由季度合约价按谈判节奏插值推断(月内现货波动远大于此)。消费端现货已现局部松动,服务器侧仍坚挺。

QUARTERLY · 季度
26Q3+13~18%
26Q4+8~13%
27Q1–Q2+5~10%/季

TrendForce:服务器 DRAM 逐季上涨延续至 2027 下半年,涨幅收敛;2027 RDIMM 比特供给仅增 15–20%。

YEARLY · 年度
2026+400%↑
2027+10~15%
2028回落拐点

瑞银:2026 全年 DRAM 涨幅破 400%,2027 高位运行,2028 Q2 随新产能释放才现实质回落。

MODEL_RISK — 预测失效条件

① AI 资本开支急刹车(需求阀门关闭)② HBM4 良率超预期爬坡 + 新厂提前量产(供给松绑)③ 宏观衰退压制消费端换机。任一触发,价格路径将快速下修至"回落"情景 —— 内存行业没有永远的短缺。

数据源:TrendForce 2026.07 · UBS 2026.07 · Jefferies 2026.06 · 本站综合建模,非投资建议

FINAL_TRANSMISSION

这轮疯涨的本质,是存储产业在 AI 时代的一次"换轨" —— 晶圆从消费电子流向数据中心,内存正从标准件,变成 AI 基础设施争夺的关键资源

价格终会回落,但产能流向已被深刻改变。

NO ETERNAL SHORTAGE // NO ETERNAL SURPLUS